磨料對(duì)平面拋光效果的影響

　　平面拋光過程中磨料的作用是借助于機(jī)械力，將晶片表而經(jīng)化學(xué)反應(yīng)后形成的鈍化膜去除，從而達(dá)到表而平整化的目的。日前常用的磨料有膠體SiO2 、Al2O3及CeO2等。
　　磨料的種類決定了磨粒的硬度、尺寸，從而影響拋光效果。拋光鋁實(shí)驗(yàn)中，相對(duì)于SiO2、Al2O3磨料能獲得較好的表而平整度，表而刮痕數(shù)量少、尺寸小，其原因是膠體SiO2磨粒尺寸小，拋光時(shí)磨料嵌入晶片表面的深度較小，并且在優(yōu)選其它參數(shù)的情況下，也能獲得很高的拋光效率。
　　磨料的濃度會(huì)影響拋光效果。拋光鋁實(shí)驗(yàn)中，隨著磨料 (膠體SiO2)濃度的提高，單位而積參與磨削的磨粒數(shù)日增加，所以拋光效率提高，表而刮痕尺寸緩慢增人或基本保持不變; 但磨料濃度過人時(shí)，拋光液的粘性增人，流動(dòng)性降低，影響加工表而氧化層的有效形成，導(dǎo)致拋光效率降低。磨粒的尺寸也會(huì)對(duì)拋光效果產(chǎn)生影響，磨粒尺寸越小，表而損傷層厚度小。據(jù)統(tǒng)計(jì)，在硅片的精拋過程中，每次磨削層的厚度僅為磨粒尺寸的四分之一。為了有效地減小表而粗糙度和損傷層厚度，通常采用小尺寸的膠體硅(15~20nm)來代替粗拋時(shí)的膠體硅(50~70rnm);同時(shí)通過加強(qiáng)化學(xué)反應(yīng)及提高產(chǎn)物的排除速度來提高拋光效率。